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电子元器件详细资料 » IC[20517] » IPD50N06S4L-08
型号:IPD50N06S4L-08类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C7.8 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.2V @ 35µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs64nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds4780pF @ 25V
功率_最大71W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳德田科技有限公司李小姐86-0755-83254070/18680328178
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳和润天下电子科技有限公司张小姐0755-83798683
芯惠(深圳)电子科技有限公司肖0755-82525087
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IPD50N06S4L-08相关型号

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